精加工后进行热处理（退火处理）的方法也是有效的。图3示出了观察在C1100上进行Sn镀覆后的化合物层的生长的结果，无论有无后处理，在室温下放置20000Hr，进行蚀刻处理。如结果所示，可以看出通过热处理抑制了Cu 6 Sn 5化合物的生长。..

在本部分中，我们发现可以通过改进诸如“底涂层”，“精加工镀层”和“后处理”之类的镀层工艺来抑制金属间化合物的生长。另外，在一些环境测试中，我们能够确认晶须抑制效果。然而，由于“由腐蚀引起的晶须”，“由热膨胀系数不同引起的晶须”和“由外应力引起的晶须”具有不同的产生机理，因此需要不同的方法和改进。

锦华隆电子科技的目标是在所有环境测试中“零晶须的产生”，并且目前正从各种角度进行开发，评估和分析。